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产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    bfp840fesd

  • 功能描述

    射频双极电源晶体管 RF BIP TRANSISTORS

  • RoHS

  • 制造商

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置

    Single 直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    40

  • 最大工作频率

    30 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    25 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    4 V

  • 集电极连续电流

    20 A

  • 功率耗散

    250 W

  • 封装/箱体

    Case 211-11

  • 封装

    Tray

规格书PDF

  • 芯片型号:

    BFP840FESD

  • PDF资料下载:

    下载资料

  • 原厂全称:

    Infineon Technologies AG

  • 原厂简称:

    INFINEON

  • 页数:

    28

  • 文件大小:

    1480 kb

  • 说明:

    Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor