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描述
ngd8201ant4g
IGBT 晶体管 NGD8201ANT4G GEN4 IGBT
否
Fairchild Semiconductor
集电极—发射极最大电压
650 V
2.3 V
20 V 在25
150 A
400 nA
187 W
TO-247
Tube
NGD8201ANT4G
下载资料
ON Semiconductor
ONSEMI
8
125 kb
Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel DPAK